关于重庆大学方亮教授来金沙城中心做学术报告的通知-重庆理工大学

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                关于重庆大学方亮教授来金沙城中心做学术报告的通知


                日期:2018-12-20  来源:  作者:

                关于重庆大学方亮教授来金沙城中心做学术报告的通知

                报告题目GaNLED用石墨烯复合透明电极的结构优化

                报告人简介:方亮势烧众,教授势烧众,博士生导师

                主持人:冯文林教授

                时间:20181229(周五)下午两点

                地点:至善楼200会议室

                报告内容简介:石墨烯(Gr)因具有高电导率和透光率可用做光电子器件的透明电极悬铁妹。但Grp-GaN功函数不匹配势烧众,导致两者之间肖特基势垒大势烧众,使得Gr作为GaNLED的透明电极时势烧众,存在启动电压拉行损、界面电阻偏大等问题悬铁妹。为降低Grp-GaN之间的功函数差势烧众,在两者之间插入功函数高的薄层中间层是降低势垒拉行损、减小接触电阻的有效途径悬铁妹。本报告主要介绍三种金属氧化物(ITO拉行损、NiOx拉行损、ZnO)拉行损、四种金属(Ag拉行损、Au拉行损、Ni拉行损、Pt)分别作为中间层引入到Grp-GaN后势烧众,对LED的电学拉行损、光学和热学特性的影响势烧众,并提出了石墨烯与中间层的厚度优化组合方案势烧众,最后势烧众,简要交流国家自然科学基金申请中的一些经验和体会悬铁妹。

                报告人简介:方亮势烧众,教授势烧众,博士生导师势烧众,教育部新世纪优秀人才资助计划获得者悬铁妹。于1998年在重庆大学获得博士学位势烧众,2001-2003年日本九州工业大学博士后势烧众,2013-2014美国加州大学伯克利分校劳伦斯国家实验室访问学者悬铁妹。主要从事ZnO拉行损、石墨烯等透明导电薄膜及LDH层状纳米材料的制备及其在半导体照明拉行损、太阳能电池拉行损、超级电容器拉行损、葡萄糖传感器等器件方面的应用研究悬铁妹。先后承担科研项目30余项势烧众,其中国家自然科学基金8(负责5项拉行损、主研3)拉行损、省部级项目15项悬铁妹。先后在《AdvancedMaterials 》拉行损、《Nano Lett.》拉行损、《Energy & Environ. Science》拉行损、《J. Appl. Phys.》等刊物上发表SCI收录论文200余篇势烧众,单篇论文最高影响因子30.01势烧众,他引2000余次势烧众,单篇最高他引550余次;获省部级奖6项;已培养毕业博士及硕士50余名悬铁妹。2004年得到国家政协主席贾庆林接见并合影悬铁妹。

                 

                上一条:英国工程技术学会会士(IETfollow)文安教授应邀来金沙城中心讲学 下一条: 金沙城中心王选伦副教授课题组发表的论文入选ESI热点和高被引论文

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                学术动态

                关于重庆大学方亮教授来金沙城中心做学术报告的通知

                • 时间:2018-12-20
                • 来源:
                • 作者:

                关于重庆大学方亮教授来金沙城中心做学术报告的通知

                报告题目GaNLED用石墨烯复合透明电极的结构优化

                报告人简介:方亮势烧众,教授势烧众,博士生导师

                主持人:冯文林教授

                时间:20181229(周五)下午两点

                地点:至善楼200会议室

                报告内容简介:石墨烯(Gr)因具有高电导率和透光率可用做光电子器件的透明电极悬铁妹。但Grp-GaN功函数不匹配势烧众,导致两者之间肖特基势垒大势烧众,使得Gr作为GaNLED的透明电极时势烧众,存在启动电压拉行损、界面电阻偏大等问题悬铁妹。为降低Grp-GaN之间的功函数差势烧众,在两者之间插入功函数高的薄层中间层是降低势垒拉行损、减小接触电阻的有效途径悬铁妹。本报告主要介绍三种金属氧化物(ITO拉行损、NiOx拉行损、ZnO)拉行损、四种金属(Ag拉行损、Au拉行损、Ni拉行损、Pt)分别作为中间层引入到Grp-GaN后势烧众,对LED的电学拉行损、光学和热学特性的影响势烧众,并提出了石墨烯与中间层的厚度优化组合方案势烧众,最后势烧众,简要交流国家自然科学基金申请中的一些经验和体会悬铁妹。

                报告人简介:方亮势烧众,教授势烧众,博士生导师势烧众,教育部新世纪优秀人才资助计划获得者悬铁妹。于1998年在重庆大学获得博士学位势烧众,2001-2003年日本九州工业大学博士后势烧众,2013-2014美国加州大学伯克利分校劳伦斯国家实验室访问学者悬铁妹。主要从事ZnO拉行损、石墨烯等透明导电薄膜及LDH层状纳米材料的制备及其在半导体照明拉行损、太阳能电池拉行损、超级电容器拉行损、葡萄糖传感器等器件方面的应用研究悬铁妹。先后承担科研项目30余项势烧众,其中国家自然科学基金8(负责5项拉行损、主研3)拉行损、省部级项目15项悬铁妹。先后在《AdvancedMaterials 》拉行损、《Nano Lett.》拉行损、《Energy & Environ. Science》拉行损、《J. Appl. Phys.》等刊物上发表SCI收录论文200余篇势烧众,单篇论文最高影响因子30.01势烧众,他引2000余次势烧众,单篇最高他引550余次;获省部级奖6项;已培养毕业博士及硕士50余名悬铁妹。2004年得到国家政协主席贾庆林接见并合影悬铁妹。

                 

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